ایجاد تخلخل های میکرونی منظم به روش الکتروشیمیایی بر روی پایه های سیلیکون نوع p
- سال انتشار: 1385
- محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال
- کد COI اختصاصی: CMC08_049
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1824
نویسندگان
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، پژوهشکده علوم و فناوری نا
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
چکیده
تخلخل هایی از ابعادمیکرونی به روش الکتروشمیایی ب استفاده از محلول پایه ی شامل DMF (دی متیل فرمامید) و اسید HF بر روی پایه های سیلیکون نوع P ایجاد گردید. با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی تاثیر پارامترهای مهم مانند زمان خوردگی، چگالی جریان ، غلظت اسید و نوع الکترولیت بر ساختارتخلخل حاصل بررسی شد. افزایش زمان خوردگی باعث نازک تر شدن دیواره های سیلیکونی و افزایش ضخامت لایه متخلخل می شود. در حالی که افزایش چگالی جریان الکتریکی موجب شکل گیری بهتر سوراخ ها و منظم تر شدن آنها میشود. با افزایش غلظت اسید برخی دیواره های سیلیکونی ریزش کرده و سوراخ ها بزرگ می شوند . همچنین در این مطالعه مشخص شد کمه محلول DMF نقش بسیار مهمی درتشکیل حفره های میکرونی دارد.کلیدواژه ها
مقالات مرتبط جدید
- Analytical determination of flexural rigidity of thin-walled pultruded composite I-beams
- Matrix-Dominated Damage Process in CFRP Composite Laminates underFlexural Loading Condition
- Indentation Size Scale Effect on Mechanical Properties of Cold SprayCoating
- Determination of Forming Limit Diagrams for Tailor Welded Blanks
- Control of dynamic building façade: design, analysis and experiments
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.