شبیه سازی HEMT دو کاناله بر اساس GaN با اثرات کوانتومی و مقایسه آن با یک کاناله

  • سال انتشار: 1386
  • محل انتشار: پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEE15_389
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1878
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

رحیم فائز

دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

عقیل باجلان

دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران، مرکز

چکیده

دراین مقاله یک ترانزیستور HEMT دو کاناله بر اساسGaN با استفاده از مدل موازنه انرژی شبیه سازی شده است. هدف از این کار بررسی تونل زدن حامل ها بین دو کانال ها بین دو کانال و اثر آن بر مشخصه ترانزیستور بوده است و نمودارهای ولتاژ جریان در حالت کوانتومی و همچنین درحالت بدون اثرات کوانتومی مقایسه شده اند. نمونه با اثر کوانتومی تغییرات شدیدی پتانسیل را نرم تر می کند و اثرات تونل زنی را وارد می کند. همچنین این ترانزیستور با نمونه مشابه ولی تک کاناله هم از نظر نمودار جریان ولتاژ و هدیات انتقالی مقایسه شده است. نشان داده شده که اضافه کردن کانال باعث بهبودی منحنی هدایت عبوری در جریان های زیاد می شود.

کلیدواژه ها

(HEMT) ، ترانزیستور با قابلیت تحرک الکترون بالا ، شبیه سازی ، ترانزیستور دو کاناله

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.