ترانزیستورهای MOS در مقیاس نانو : مقایسه مشخصههای الکتریکی ترانزیستورهای SOI DOUBLE GATE MOSFET و Fully Depleted MOSFET
- سال انتشار: 1385
- محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1385
- کد COI اختصاصی: IPC85_142
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 5346
نویسندگان
گروه برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
دانشکده فنی
چکیده
این مقاله دو ساختار همارز Fully Depleted Silicon On Insulator MOSFET (SOI MOSFET) و Double Gate MOSFET (DG MOSFET) مورد بررسی و شبیهسازی قرار گرفتهاندساختار DGMOSFET دارای Ioff کمتری نسبت به ساختار SOI میباشد . نسبت Ion/Ioff در ساختار DG بالاتر از ساختار SOI میباشد . اثر کاهش سد پتانسیل القا شده از درین (DIBL) در SOI MOSFET شدیدتر از DG MOSFET ساختاراست . DG` دارای قابلیت حرکت بالاتری نسبت به ساختار SOI میباشدکلیدواژه ها
مقالات مرتبط جدید
- Analytical determination of flexural rigidity of thin-walled pultruded composite I-beams
- Matrix-Dominated Damage Process in CFRP Composite Laminates underFlexural Loading Condition
- Indentation Size Scale Effect on Mechanical Properties of Cold SprayCoating
- Determination of Forming Limit Diagrams for Tailor Welded Blanks
- Control of dynamic building façade: design, analysis and experiments
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.