درایور وکسل بر اساس تکنیک افزایش پهنای باند Capacitive Degeneration در تکنولوژی 0.18um CMOS
عنوان مقاله: درایور وکسل بر اساس تکنیک افزایش پهنای باند Capacitive Degeneration در تکنولوژی 0.18um CMOS
شناسه ملی مقاله: NCNIEE02_275
منتشر شده در دومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق در سال 1392
شناسه ملی مقاله: NCNIEE02_275
منتشر شده در دومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق در سال 1392
مشخصات نویسندگان مقاله:
مهسا ابراهیمی - دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق – الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات اراک- ایران
عباس مختاری - استادیار گروه فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک – ایران
خلاصه مقاله:
مهسا ابراهیمی - دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق – الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات اراک- ایران
عباس مختاری - استادیار گروه فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک – ایران
در این مقاله به طراحی درایور وکسل با استفاده از تکنولوژیum CMOS 0.18 می پردازیم بنابراین ولتاژ مورد نیاز به v1.8 محدود می شود و در کنار همه مزیتهایی که همواره در تکنولوژیCMOSمطرح می باشد ، با استفاده از مداراتCommon source و تکنیک افزایش پهنای باندCapacitive Degeneration پهنای باند به طور قابل ملاحظه ای افزایش یافته و مصرف توان را تا حد ممکن کاهش می دهیم .پهنای باند بدست آمده در این مقالهGb/s24.2 و توان مصرفی نهاییmw25.4 می باشد
کلمات کلیدی: درایور وکسل ، تکنیک Capacitive Degeneration /مدارات common source
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/233770/