درایور وکسل بر اساس تکنیک افزایش پهنای باند Capacitive Degeneration در تکنولوژی 0.18um CMOS
محل انتشار: دومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 707
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE02_275
تاریخ نمایه سازی: 29 بهمن 1392
چکیده مقاله:
در این مقاله به طراحی درایور وکسل با استفاده از تکنولوژیum CMOS 0.18 می پردازیم بنابراین ولتاژ مورد نیاز به v1.8 محدود می شود و در کنار همه مزیتهایی که همواره در تکنولوژیCMOSمطرح می باشد ، با استفاده از مداراتCommon source و تکنیک افزایش پهنای باندCapacitive Degeneration پهنای باند به طور قابل ملاحظه ای افزایش یافته و مصرف توان را تا حد ممکن کاهش می دهیم .پهنای باند بدست آمده در این مقالهGb/s24.2 و توان مصرفی نهاییmw25.4 می باشد
کلیدواژه ها:
درایور وکسل ، تکنیک Capacitive Degeneration /مدارات common source
نویسندگان
مهسا ابراهیمی
دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق – الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات اراک- ایران
عباس مختاری
استادیار گروه فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک – ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :