نانو ترانزیستور سیلیکون رو یالماس دو لایه جهت بهینه سازی میدان الکتریکی نفوذی درین و کاهش اثر(DIBL)
- سال انتشار: 1392
- محل انتشار: پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران
- کد COI اختصاصی: ICEEE05_016
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 790
نویسندگان
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک
دانشجوی کارشناسی مهندسی برق
استادیار،دانشگاه شهرکرد
چکیده
یک ساختارسیلیکون روی الماس برای بهبود اثرDIBL کاهش سدپتانسیل ناشی ازدرین معرفی شده است نفوذمیدان الکترکیی درعایق ازبین رفتن الماس اثرDIBL را کاهش میدهد درساختارجدید ماده دوم با عایق مضاعف مثل SIO2 روی عایق زیرین اضافه شده است و تا اندازه ای الماس را پوشش میدهد ماده عایق دوم گذردهی الکتریکی پایینی دارد ازاین رو ظرفیت الکتریکی میدان حاشیه ای کوچکتر است نتایج شبیه سازی ترانزیستورسیلیکون درالماس 22 نانومتری بهبود 18درصدی را برای اثرDIBL درمقایسه با ساختارمرسوم سیلیکون روی الماس SOD نشان میدهد افزایش 5درصدی دمای شبکه درساختارجدید نسبت به SOD مرسوم مشاهده شدکلیدواژه ها
کاهش سدپتانسیل ناشی ازدرینDIBL، ترانزیستورسیلیکون روی الماس SOD، میدان الکتریکی نفوذدرینمقالات مرتبط جدید
- طراحی و پیاده سازی سیستم پارکینگ هوشمند خودرو با امکان شارژ خورشیدی و رزرو محل پارک خودرو
- بررسی رویکرد قابلیت اطمینان نرم افزار و معرفی یک مدل آزمون جهت سنجش میزان اطمینان در یک نرم افزار
- پردازش تصویر در پزشکی
- شناسایی بیماری نارسایی کلیوی بر اساس روش ترکیبی ویادگیری گروهی در یادگیری ماشین
- مطالعه عددی تشدید پلاسمون سطحی در دایمرهای نانوذرات فلزی طلا
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.