Strained Si/SiGe MOSFET for Improved Performance
- سال انتشار: 1392
- محل انتشار: کنگره ملی مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات
- کد COI اختصاصی: CECIT01_741
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1152
نویسندگان
Electrical Engineering Department, Hakim Sabzevari University of Sabzevar,
Electrical Engineering Department, Ferdowsi University of Mashhad,
چکیده
This paper presents a quantitative study on the device design of ultrathin strained-silicon-on-insulator (strained-SOI) MOSFETs in the sub-100-nm regime aiming atsuppression of short-channel effects (SCEs) and improving the device performance, i.e., break down voltage and sub-threshold swing (SS). In order to improve those parameters, a strainedSi/Si1-xGex is investigated as a replacement for Si technology. We study on the Ge content while the ratio of strained Si and SiGe layers is changingکلیدواژه ها
Silicon on insulator, Strained Si/SiGe on insulator, DIBL, Subthreshold swingمقالات مرتبط جدید
- بهینه سازی مدیریت انرژی در ریزشبکه ها با استفاده از الگوریتم های هوش مصنوعی
- مبانی، کاربردها و چالشهای یادگیری مشارکتی و تحلیل تجربی و مقایسه ابزارهای یادگیری فدرالی در پیاده سازی مدلهای یادگیری ماشین
- راهکارهای مبتنی بر هوش مصنوعی برای بهره وری انرژی در تولید سیمان: یک بررسی جامع
- معماری اینترنت اشیا مبتنی بر هوش مصنوعی در مدیریت انرژی هوشمند
- سیستم های EMS/BMS در ساختمان های ZEB و نمونههای اجرا شده آن در سطح جهانی
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.