Strained Si/SiGe MOSFET for Improved Performance

  • سال انتشار: 1392
  • محل انتشار: کنگره ملی مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات
  • کد COI اختصاصی: CECIT01_741
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 1130
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

Zahra Arbabinejad

Electrical Engineering Department, Hakim Sabzevari University of Sabzevar,

Seyed Ebrahim Hosseini

Electrical Engineering Department, Ferdowsi University of Mashhad,

چکیده

This paper presents a quantitative study on the device design of ultrathin strained-silicon-on-insulator (strained-SOI) MOSFETs in the sub-100-nm regime aiming atsuppression of short-channel effects (SCEs) and improving the device performance, i.e., break down voltage and sub-threshold swing (SS). In order to improve those parameters, a strainedSi/Si1-xGex is investigated as a replacement for Si technology. We study on the Ge content while the ratio of strained Si and SiGe layers is changing

کلیدواژه ها

Silicon on insulator, Strained Si/SiGe on insulator, DIBL, Subthreshold swing

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.