بررسی و شبیه سازی تأثیر تغییرات زمان، دما و ناخالصی بر پارامترهای اکسیداسیون

سال انتشار: 1392
محل انتشار: اولین همایش ملی انرژی های نو وپاک
کد COI اختصاصی: CCE01_040
زبان مقاله: فارسی
تعداد مشاهده: 1760

نویسندگان

گروه مهندسی برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه شهید چمران، - اهواز، پژوهشکده آب و انرژی جندی شاپور

چکیده

این مقاله پارامترهای اکسیداسیون را مورد بررسی قرار می دهد که در ساخت سلولهای خورشیدی و سایر انرژی های نو دارای کاربرد زیادی است. سیلیکون (Si) در میان مواد نیمه هادی منحصربه فرد است چون سطح آن به سادگی می تواند توسط یک لایه اکسید ((SiO(2) پوشانده شود. اگر چه سیلیکون مادهای نیمههادی است اما دیاکسید سیلیکون یک ماده عایق محسوب میشود که از سیلیکون و یا لایه های زیرین در مقابل واکنشهای شیمیایی و فیزیکی در فرآیند ساخت جلوگیری میکند. این خاصیت یک فاکتور مهم در تکنولوژی سیلیکون است. ضخامت لایه اکسید در فرآیند ساخت به عوامل متعددی وابسته است. در این مقاله تأثیر همزمان عوامل دما، زمان و ناخالصی اولیه توسط نرم افزار Silvaco مورد بررسی قرار گرفته و نتایج بدست آمده با نتایج محاسبات تجربی و روابط موجود مقایسه میگردد. نتایج برای هر دو نوع اکسیداسیون تر و خشک بیان میشود. در این مقاله شرایط لازم برای رسیدن به ضخامت های اکسید مختلف را برای شرایطی که سیلیکون بدون ناخالصی و تحت دماهای متفاوت و نیز شرایطی که دارای ناخالصی فسفر و بوران و تحت دماهای مختلف شبیه سازی و نتایج با محاسبات مقایسه و مورد بررسی قرار می گیرند.

کلیدواژه ها

اکسیداسیون خشک، اکسیداسیون تر، Silvaco، ناخالصی اولیه

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.