بهبودبازده سلول خورشیدی فیلم نازک CIGS توسط افزایش میدان لایه جاذب
- سال انتشار: 1392
- محل انتشار: بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ICEE21_367
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 978
نویسندگان
دانشگاه شهیدچمران اهواز
چکیده
دراین مقاله یک راه کارجدید برای افزایش بازده سلول خورشیدی CIGS ارایه شده است تمرکز اصلی این روش برکاهش بازترکیب سلول CIGS درفصل مشترک جاذب /اتصال پشتی می باشد چرا که این ناحیه یکی ازعوامل اصلی تلفات دراین دسته سلولها است دراین روش با اضافه کردن یک لایه P+ به انتهای جاذب یک سد حامل درفصل مشترک لایه جاذب و اتصال پشتی ایجاد کرده ایم که سبب ایجاد یک میدان اضافی دراتصال پشتی و درنتیجه رانش آنها به سمت اتصال جلویی سلول می شود همچنین با بررسی عملکرد سلول درضخامتی متفاوت لایه های P,P+ ضخامت بهینه این لایه ها برای دستیابی به بیشترین بازده ارایه گردیده استکلیدواژه ها
سلول فیلم نازک CIGS، اثرلایه P+ برعملکرد سلول CIGS، افزایش بازده سلول CIGS، کاهش بازترکیب اتصال پشتیمقالات مرتبط جدید
- مدلسازی و شبیه سازی جبران ساز سری سنکرون استاتیکی توزیع برای حل چالش های شبکه توزیع بر پایه الگوریتم بهینه سازی گرگ خاکستری
- Adaptive Control Strategies for Fast Charging of EVs with Battery Degradation Mitigation
- شناسایی مانع با استفاده از دید استریو برای خودروهای بدون سرنشین
- Multi-Gbest Decomposition for Many-Objective Optimization
- ترکیب منابع انرژی پیزوالکتریک و ترموالکتریک به منظور افزایش کارایی سیستم های برداشت انرژی
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.