بهبودبازده سلول خورشیدی فیلم نازک CIGS توسط افزایش میدان لایه جاذب

  • سال انتشار: 1392
  • محل انتشار: بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEE21_367
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 929
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

عبدالنبی کوثریان

دانشگاه شهیدچمران اهواز

فاطمه تحویل زاده

چکیده

دراین مقاله یک راه کارجدید برای افزایش بازده سلول خورشیدی CIGS ارایه شده است تمرکز اصلی این روش برکاهش بازترکیب سلول CIGS درفصل مشترک جاذب /اتصال پشتی می باشد چرا که این ناحیه یکی ازعوامل اصلی تلفات دراین دسته سلولها است دراین روش با اضافه کردن یک لایه P+ به انتهای جاذب یک سد حامل درفصل مشترک لایه جاذب و اتصال پشتی ایجاد کرده ایم که سبب ایجاد یک میدان اضافی دراتصال پشتی و درنتیجه رانش آنها به سمت اتصال جلویی سلول می شود همچنین با بررسی عملکرد سلول درضخامتی متفاوت لایه های P,P+ ضخامت بهینه این لایه ها برای دستیابی به بیشترین بازده ارایه گردیده است

کلیدواژه ها

سلول فیلم نازک CIGS، اثرلایه P+ برعملکرد سلول CIGS، افزایش بازده سلول CIGS، کاهش بازترکیب اتصال پشتی

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.