شبیه سازی تغییرات مقاومت سورس بر اثر تغییرات کاشت یونی این ناحیه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه

سال انتشار: 1403
محل انتشار: دومین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق
کد COI اختصاصی: ICNRTEE02_018
زبان مقاله: فارسی
تعداد مشاهده: 125

دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

عرفان محمدی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اصفهان ایران

آرش دقیقی

دانشیار الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرکرد ایران

وحید حاتمی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرد کرد ایران

چکیده

در این مقاله ابتدا دلایل استفاده از تکنولوژی سیلیکون روی الماس SOD به عنوان جایگزینی مناسب برای تکنولوژی سیلیکون - روی عایق SOI را بیان می کنیم و سپس اهمیت استفاده از فناوری سیلیکون - روی الماس دو لایه را به عنوان یک ساختار بهبود یافته بررسی می کنیم. اهمیت مقاومت سورس - درین Rsd در ترازیستورهای ماسفت زمانی بیشتر می شود که این تکنولوژی به سمت کوچکتر شدن در اندازه و ابعاد پیش می رود و این امر از آنجایی است که مقاومت سورس - درین RSD نسبت مستقیمی با طول کانال کاهش یافته DL دارد و طول کانال کاهش یافته DL نیز از شرایط ساخت از جمله لیتوگرافی گیت، شرایط حکاکی و دیفیوژن لبه ای سورس و درین تاثیر مستقیم می پذیرد. در این مقاله برای بررسی مقاومت سورس - درین RSD از نرم افزار شبیه ساز ادوات نیمه هادی که یکی از ابزارهای قدرتمند برای طراحی و شبیه سازی ادوات نیمه هادی در واحد میکرون است استفاده کرده ایم و مدل های و حالت های مختلفی را شبیه سازی کرده ایم که نتایج شبیه سازی ساختار مقاومت سورس - درین RSD را متضمن می شود.

کلیدواژه ها

سیلیکون روی عایق، سیلیکون روی الماس دو لایه، مقاومت سورس - درین، کاشت یونی

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.