بهبود بازده سلول خورشیدی فیلم نازک CIGS توسط ایجاد میدان سطحی در اتصال پشتی
- سال انتشار: 1392
- محل انتشار: سومین کنفرانس انرژی های تجدید پذیر و تولید پراکنده ایران
- کد COI اختصاصی: ICREDG03_095
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1466
نویسندگان
دانشگاه شهید چمران ، اهواز
چکیده
در سلولهای CIGS به دلیل ضخامت کم لایه جاذب فاصله اتصال پشتی و ناحیه تخلیه ناچیز است، بنابراین نور بیشتری به اتصال پشتی میرسد و بازترکیب این ناحیه مکانیسم تلفات اصلی در سلول است. در این مقاله یک راه -کار جدید برای بهبود بازده سلول خورشیدی CIGS ارائه شده است. اساس این روش افزایش ناخالصی بخشی از لایه جاذب است، که اثر آن به ازای ضخامتهای متفاوت جاذب در اینجا بحث شده است.کلیدواژه ها
اثر لایه + p بر عملکرد سلول CIGS ، سلول فیلم نازک CIGS ، کاهش بازترکیب اتصال پشتیمقالات مرتبط جدید
- ارزیابی انواع تهدیدات و شدت آنها در زیستگاههای کلان ایران
- اجرای پایلوت نانوپوشش سیلیکونی بر روی تجهیزات عایقی پست های منتخب تهران و مشهد و بررسی نتایج عملکرد میدانی
- تدوین دستورالعمل برای استفاده از نانوسیالات خنک کننده نیروگاهی
- تولید نانو الیاف کامپوزیتی کربن/ NiMoO۴ به روش الکتروریسی
- پوششش دهی و آزمون مقره های سرامیکی ۷۰ کیلو نیوتون با مواد سیلیکونی حاوی نانو ذرات سیلیکا
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.