سعید سالاری - دانشکده مهندسی هستهای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهر
کاووس میر عباس زاده - دانشکده مهندسی هستهای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهر
مهدی احمدی - دانشکده مهندسی هستهای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهر

در این تحقیق ساخت لایه های نازک اکسید روی آلاییده با گالیم (ZnO:Ga) به روش سل ژل گزارش می شود. گالیم با درصدهای مختلف (0-2%) وارد ساختار لایه نازک ZnO د. نتایج حاصل از بررسی خواص ساختاری، الکتریکی، اپتیکی لایه های نازک حاکی از این بود که نمونه های 2% بهترین میزان عبور و کمترین میزان مقاومت الکتریکی ویژه را دارا بوده است. تأثیر دمای بازپخت بر روی خواص الکتریکی نیز مورد کاوش قرار گرفت.

لایه نشانی، اکسید روی، سل ژل، پوشش دهی غوطه وری، گالیم ZnO:Ga