A Reliable LDMOS Transistor Based on GaN and Si۳N۴ Windows in Buried Oxide

سال انتشار: 1401
محل انتشار: دوفصلنامه علوم محاسباتی و مهندسی، دوره: 2، شماره: 2
کد COI اختصاصی: JR_CSE-2-2_014
زبان مقاله: انگلیسی
تعداد مشاهده: 154

نویسندگان

School of Engineering, Damghan University, Damghan, Iran

چکیده

High breakdown voltage and reduced specific on-resistance are obtain in the new LDMOS structure with wide band gap material in the buried oxide. GaN with higher mobility and wider band gap energy than silicon is an important material that causes better performance in power devices. Moreover, self-heating effects of the proposed LDMOS structure is controlled using two other Si۳N۴ windows at the top and bottom of the GaN window. Our simulation with two-dimensional ATLAS simulator shows that the proposed three windows in buried oxide of the LDMOS transistor (TW-LDMOS) has better reliability than conventional LDMOS (C-LDMOS) structure due to the flexible behavior of the TW-LDMOS in higher drain voltages and reduced electron temperature.

کلیدواژه ها

LDMOS, GaN, Breakdown voltage, Hot electron effect

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.