CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

اصلاح مورفولوژی سطحی پوشش تنگستنی ایجاد شده به روش پاشش پلاسمایی اتمسفری به منظور کاربرد در لامپ تولید پرتو ایکس

عنوان مقاله: اصلاح مورفولوژی سطحی پوشش تنگستنی ایجاد شده به روش پاشش پلاسمایی اتمسفری به منظور کاربرد در لامپ تولید پرتو ایکس
شناسه ملی مقاله: JR_JNMMI-8-32_011
منتشر شده در در سال 1397
مشخصات نویسندگان مقاله:

ساسان اژدری - کارشناس ارشد خوردگی و حفاظت از مواد، دانشکده مهندسی و علم مواد دانشگاه صنعتی شیراز، شیراز، ایران
فرهاد شهریاری نوگورانی - استادیار، گروه خوردگی و حفاظت از مواد، دانشکده مهندسی و علم مواد دانشگاه صنعتی شیراز، شیراز، ایران

خلاصه مقاله:
پوشش­های ضخیم تنگستن در ساخت آند لامپ­های تولید پرتو ایکس مورد استفاده در تجهیزات تشخیص پزشکی کاربرد دارند. با توجه به اهمیت صافی سطح آند در کیفیت تصویر رادیولوژی حاصل، لازم است قطعه آند تا حد امکان زبری سطحی پایینی داشته باشد و بتواند این زبری پایین را در شرایط کاری دمای بالا حفظ نماید.  به منظور بهبود کارآیی این لامپ­ها مورفولوژی سطحی پوشش­های تنگستنی اعمال شده به روش پاشش پلاسمایی اتمسفری بلافاصله پس از پوشش­دهی، بعد از عملیات آنیل در اتمسفر هیدروژن و پس از نشاندن لایه­ای نازک از تنگستن به روش رسوب شیمیایی بخار مطالعه شد. آنیل هیدروژنی در اتمسفر هیدروژن مرطوب و دمای °C ۱۵۰۰ به مدت ۹۰ دقیقه انجام شد. رسوب شیمیایی بخار به روش دفن نمونه­ها در بستری از پودر اکسید تنگستن و سپس احیای پودر در اتمسفر هیدروژن مرطوب در °C۱۰۰۰ اجرا شد. ریزساختار سطحی پوشش با استفاده از تصاویر میکروسکوپی الکترونی روبشی، آنالیز شیمیایی طیف­سنجی پراکندگی انرژی، زبری­سنجی مکانیکی و پراش پرتو ایکس ارزیابی شد. نتایج نشان داد که عملیات تکمیلی در نظر گرفته شده قادر است ریخت سطحی را از حالت اکسید شده و زبر به یک ساختار ستونی ظریف با زبری میانگین کم­تر از ۱ میکرومتر تغییر دهد.

کلمات کلیدی:
پاشش پلاسمایی اتمسفری, رسوب شیمیایی بخار, آنیل در اتمسفر هیدروژن, پوشش تنگستنی, لامپ تولید اشعه ایکس

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/1903646/