محاسبه ولتاژ آستانه ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بدنه فوق نازک به روش تحلیلی
- سال انتشار: 1402
- محل انتشار: فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران، دوره: 21، شماره: 1
- کد COI اختصاصی: JR_JIAE-21-1_003
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 184
نویسندگان
Faculty of Engineering, Shahrekord University
Faculty of Engineering, Shahrekord University
Department of Electrical and Computer Engineering
چکیده
در این مقاله، برای اولین بار، پتانسیل توزیع شده در گیت جلویی و گیت پشتی به کمک حل معادلات پوواسون دو بعدی در کانال ادوات سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بدنه فوق نازک تخلیه کامل محاسبه گردیده است. سپس با توجه به تعریف ولتاژ آستانه رابطه کلی ولتاژ آستانه این افزاره استخراج گردیده است. معادلات پوواسون محاسبه شده برای گیت جلویی و پشتی با در نظر گرفتن تقریب تغییرات سهمی وار پتانسیل بین مرز گیت جلویی و پشتی برای مقادیر پایین ولتاژ درین و با استفاده از مدل خازنی افزاره انجام گردیده است. با محاسبه پتانسیل در بدنه ترانزیستور با طول کانال ۲۲ نانومتر و مقایسه آن با نتایج شبیه سازی ماسفت، تقریب بسیار خوبی در ولتاژهای درین کم بدست آمده است. تغییرات ضخامت عایق گیت، فیلم سیلیکونی، عایق دوم و عایق اول بر روی ولتاژ آستانه نشان داده شده است. مقایسه این مقادیر با نتایج شبیه سازی ساختار ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه، بیانگر تقریب بسیار خوب معادلات تحلیلی میباشد و کاربرد نتایج حاصل در این مقاله برای محاسبات ولتاژ آستانه را متضمن میشود.کلیدواژه ها
Ultra-thin-body, Double insulating SOD, ۲ dimensional poisons’ equation, potential distribution, MOSFET., ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه, معادلات پوواسون دوبعدی, توزیع پتانسیل, ماسفتاطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.