استخراج مدل مداری نزدیک به ولتاژ آستانه برای افزاره های سیلیکون بر روی الماس با عایق دو لایه به منظور محاسبه ولتاژ آستانه

سال انتشار: 1402
محل انتشار: فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران، دوره: 21، شماره: 1
کد COI اختصاصی: JR_JIAE-21-1_005
زبان مقاله: فارسی
تعداد مشاهده: 156

نویسندگان

Faculty of Engineering, Shahrekord University, Shahrekord

چکیده

در این مقاله برای اولین بار مدل خازنی افزاره سیلیکون روی عایق دولایه را بدست میآوریم. این مدل برای این افزاره نزدیک به ولتاژ آستانه و با طول کانال ۲۲ نانومتر بطور کامل بدست میآید. با استفاده از این مدل، رابطه ی ولتاژ آستانه را برای یک افزاره ی ماسفت سیلیکون بر روی الماس با عایق دولایه را محاسبه می کنیم. در ساختار این ادوات علاوه بر لایه ی عایق الماس دفن شده، یک لایه نارسانا ثانویه از جنس دی اکسید سیلیکون نیز بر روی عایق اولیه بطور نسبی رشد داده شده است که موجب ویژگی های منحصر به فرد این افزاره می گردد. نتایج بدست آمده از این مدل را در ابعاد مختلف پارامترهای افزاره با مقادیر حاصل از شبیه سازی ادوات نیمه هادی مقایسه نمودهایم که به یک تطبیق مناسب بین این نتایج دست یافتهایم. تاثیر ابعاد افزاره نظیر ضخامت لایه اکسید گیت، ضخامت بدنه سیلیکونی، ضخامت عایق اول و دوم بر روی ولتاژ های آستانه گیت جلویی و گیت پشتی بیانگر تطبیق خوب نتایج مدل با نتایج حاصل از شبیه سازی ادوات نیمه هادی میباشد. مدل بدست آمده برآورد فیزیکی بسیار خوبی از تاثیر پارامترهای افزاره روی ولتاژ آستانه بدست میدهد.

کلیدواژه ها

Silicon-on-Insulator MOSFET, Silicon-on-Diamond MOSFET, Threshold Voltage, Capacitive Model, Double Insulating Silicon-on-Diamond MOSFET, افزاره سیلیکون روی الماس, افزاره سیلیکون روی عایق, ولتاژ آستانه, مدل خازنی, افزاره سیلیکون روی الماس با عایق دولایه

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.