Design and Simulation of AlGaN/GaN HEMT

  • سال انتشار: 1402
  • محل انتشار: دوازدهمین کنفرانس ملی مهندسی برق مجلسی
  • کد COI اختصاصی: NCEEM12_006
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 109
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

Behnam Okhravi

Hakim Sabzevari University, Faculty of Electrical and Computer Engineering, Sabzevar, Iran

Mohsen Ghasemi

Hakim Sabzevari University, Faculty of Electrical and Computer Engineering, Sabzevar, Iran

چکیده

HEMT transistors are field-effect transistors formed from the combination of two semiconductors with different energy gaps. Presented here is a simulation of an AlGaN/GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) on a sapphire substrate, which was conducted in this work. We used the "SILVACO Software" to simulate the manufacturing process, which was based on "ATLAS" principles and procedures, and we were able to generate the ID-VG, ID-VD, power gain, current gain, polarization charge, transconductance (Gm), conduction band energy, and valence band energy curves as a result.

کلیدواژه ها

HEMT, Silvaco, ATLAS, AsGaN, GaN

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.