شبیه سازی ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس ۲لایه با روشهای کوانتومی و مقایسه آن با روشهای کلاسیک و مدلسازی

  • سال انتشار: 1401
  • محل انتشار: کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق
  • کد COI اختصاصی: ICNRTEE01_027
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 384
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

رضا خسروی فارسانی

دانشجوی کارشناسی ارشد- دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه شهرکرد

آرش دقیقی

دانشیار- دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه شهرکرد

آرش رئیسی

دانشجوی کارشناسی ارشد- دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه شهرکرد

چکیده

در این مقاله ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور ماسفت سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی ارائه گردیده است؛ در این ساختار لایه عایق اول، الماس است که بر روی زیرلایه سیلیکونی قرار دارد و لایه عایق دوم دی اکسید سیلیکون میباشد که بر روی الماس قرار گرفته و از دو طرف به سورس و درین محدود شده است با استفاده از نرم افزار ISE-TCAD شبیه سازی ولتاژ آستانه ساختار به روشهای کلاسیک و کوانتومی گرادیان (چگالی صورت گرفته که پس از مقایسه و تحلیل نتایج این دو ،روش نیاز ارائه یک مدل فیزیکی متناسب با روش کوانتومی در ساختار احساس گردید. مدل فیزیکی پیشنهادی شامل خازن در بخشهای مختلف ساختار بوده که برای محاسبه مقادیر آنها از روش دقیق انتگرال بیضوی ناقص استفاده شده است. در نهایت با مقایسه نتایج شبیه سازی کوانتومی و مدلسازی خازنی به ازای تغییر مولفه های مختلف ساختار مانند ضخامت عایق اول ضخامت عایق دوم ضخامت کانال سیلیکونی ضخامت اکسید زیر گیت و پهنای عایق دوم صحت این مدل تایید شده است.

کلیدواژه ها

ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه ،گرادیان چگالی، مدل سازی خازنی، ولتاژ آستانه

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.