طراحی تحلیل و شبیه سازی یک ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی دوگانه بهبود یافته در نرم افزار TCAD SilVaco
- سال انتشار: 1401
- محل انتشار: کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق
- کد COI اختصاصی: ICNRTEE01_019
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 261
نویسندگان
دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
دانشگاه رازی، دانشکده برق و کامپیوتر
چکیده
در این مقاله به ارائه و بررسی مقایسه ای یک ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی دوگانه (DMOSFET) پرداخته شده است که با استفاده از نرم افزار TCAD Silvaco طراحی و شبیه سازی شده است. این ترانزیستور به ازای سناریوهای گوناگون دفیوژن مورد بررسی قرار گرفته است ترازیستور ارائه شده دارای عرض کانال ۲۰ میکرومتری است و ولتاژ شکست و مقاومت حالت روشن آن به ترتیب ۷۱۹ ولت و ۳۸۳میلی اهم بر سانتیمتر مربع میباشد. هم چنین نرخ روشن /خاموش آن حدود ۴۹۳.۲۵ است بنابراین با توجه به مشخصه های بسیار مناسب افزاره طراحی شده از این ترازیستور در بسیاری از مدارت الکترونیکی و تجهیزات توان میتوان بهره بردکلیدواژه ها
ترازیستور ،اثر میدان دفیوژن دوگانه، عرض کانال ،ولتاژ شکستمقالات مرتبط جدید
- بهینه سازی بازده ماشین سنکرون مغناطیس دائم دیسکی به کمک الگوریتم ژنتیک مبتنی بر مدار معادل مغناطیسی
- Experimental structural health monitoring of graphite-epoxy composites using signal processing: A Review
- مروری بر منطق فازی و مزایای آنها در پیش بینی پاسخ ستون های فلزی
- الگوریتم پیگیری انطباق و کاربرد آن در پردازش سیگنال
- شناسایی آسیب تیر های دوسرگیردار با استفاده از شبکه عصبی مصنوعی
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.