شبیه سازی نحوه تشکیل کانال در ترانزیستور سیلیکون روی الماس ۲ لایه با استفاده از روش کوانتومی و مقایسه آن با روش کلاسیک
- سال انتشار: 1401
- محل انتشار: کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق
- کد COI اختصاصی: ICNRTEE01_004
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 206
نویسندگان
دانشجوی کارشناسی ارشد- دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه شهرکرد
دانشیار- دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه شهرکرد،
دانشجوی کارشناسی ارشد- دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه شهرکرد،
چکیده
در این مقاله با توجه به بهبود برخی پارامترها ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه معرفی شده است که عایق اول الماس و عایق دوم دی اکسید سیلیکون میباشد ما با استفاده از نرم افزار ISE-TCAD- شبیه سازیهای کلاسیک و کوانتومی را انجام داده و مکان تشکیل کانال در ترانزیستئر را در این دو حالت بررسی و مقایسه خواهیم کرد و میخواهیم ببینیم چه پارامترهایی در مکان تشکیل کانال در ترانزیستور موثر .هستند مکان تشکیل کانال در ترانزیستور جهت مدلسازیهای فیزیکی بسیار حائز اهمیت میباشد. مدل استفاده شده جهت شبیه سازیهای کوانتومی مدل گرادیان چگالی میباشد.کلیدواژه ها
مکان تشکیل کانال، شبیه سازی کوانتومی و کلاسیکی ترانزیستور، ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه، مدل گرادیان چگالیمقالات مرتبط جدید
- ناوبری وسائل نقلیه زیر آبی مستقلبا استفاده الگوریتم تکرارشونده خط مشی معتبر ایمن
- استفاده از هوش مصنوعی - یادگیری عمیق برای تشخیص خطای ماشینهای دوار
- هوش مصنوعی و کاربرد آن در حمل و نقل
- طراحی و پیاده سازی کنترل کنندهPI D فازی برای اکسترودر واحد پلی اتیلن سبک خطی در PLC زیمنس
- هوش مصنوعی: تحول دنیای مدرن و آینده نگری
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.