Nanostructure growth of fluorine doped zinc oxide
- سال انتشار: 1387
- محل انتشار: دومین کنگره بین المللی علوم و فناوری نانو
- کد COI اختصاصی: ICNN02_405
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 700
نویسندگان
Department of physics, University of Guilan, Rasht ۴۱۳۳۵, Iran
چکیده
Zinc oxide thin films have been used for transparent electrodes in photoelectric conversion devices namely amorphous silicon solar cells, liquid crystal display, gas discharge display, etc[1-2]. Among transparent conducting oxide films (TCO) of non-stoichiometric and doped oxides (SnO2,In2O3, ZnO, CdO, SnO2:F,In2O3:Sn), zinc oxide was felt important compared with tin oxide and indium oxide due to its stability in hydrogen plasma, which is of unique importance in amorphous and nanocrystalline silicon areas .Though zinc oxide films may be prepared by various techniques, such as: sputtering, vacuum evaporation, CVD, sol gel, etc. films prepared by spray pyrolysis is used because of its simplicity and commercial viability [3]. Non- stoichiometric ZnO, in general, is an n-type material, with a high electrical conductivity due to lack of oxidation. Oxygen deficiency in crystal lattice of zinc oxide can be account for properties revealed in experimental observation [3]. Doping zinc oxide with Ga, In, Cu, Fe and Sn as donor impurities yields films with low sheet resistance. Due to less records on fluorine dopant, this paper describes the results of our study in an attempt to discus about the preparation and characterization of F-doped ZnO thin film nanostructure using spray pyrolysis techniqueکلیدواژه ها
مقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.