Investigation of Electrical Characteristics of Submicron Silicon Carbide MOSFETs
- سال انتشار: 1387
- محل انتشار: دومین کنگره بین المللی علوم و فناوری نانو
- کد COI اختصاصی: ICNN02_346
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1034
نویسندگان
Department of Electronic Engineering, University of Semnan, Semnan, Iran
Device and Process Modeling and Simulation Lab., School of Electrical and Computer Eng.
چکیده
In this paper, we exhibit unique features of Silicon Carbide Field Effect Transistors (SiC MOSFET) in sub-micron dimensions and compare these features with conventional Si MOSFETs. Using two-dimensional simulation, we have investigated the improvement in SiC device performance as compared to Si MOSFETs. Electrical characteristics including forward characteristics, subthreshold slope, drain conductance, Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) for this device are discussedکلیدواژه ها
مقالات مرتبط جدید
- تحلیل دینامیکی تغییر شرایط دمایی در راه اندازی سرد بویلر نوع D فولاد مبارکه
- بررسی تاثیر شرایط تولید و ذخیره سازی بر رفتار اکسیداسیون مجدد آهن اسفنجی (DRI) و آهن بریکت گرم (HBI)
- بررسی امکان سنجی احیاء هیدروژنی نمونه باطله آهندار هماتیتی (مطالعه موردی باطله هماتیتی معادن گل گهر سیرجان)
- پیش بینی عملکرد فرآیند احیا مستقیم تولید آهن اسفنجی در شرایط مختلف عملیاتی و تعیین عملکرد مطلوب از طریق مدل سازی با نرم افزار Aspen Plus
- بررسی تاثیر تغییر مکانیزم و تعداد پره های دمپر فن سیستم غبارگیر اسکرین اکساید بر عملکرد آن در شرکت فولاد کاوه جنوب کیش
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.