رسانندگی الکتریکی در لایه ضخیم عایق توپولوژیک مغناطیسی در حضور ناخالصی های الکتریکی-مغناطیسی
- سال انتشار: 1400
- محل انتشار: پنجمین کنفرانس بین المللی فیزیک، ریاضی و توسعه علوم پایه
- کد COI اختصاصی: FMCBC05_049
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 277
نویسندگان
چکیده
یک لایه ضخیم عایق توپولوژیک مغاطیسی را در نظر بگیرید که بر روی دو سطح آن ناخالصیهای مغناطیسی وجود دارند، فرض میکنیم که ناخالصیهای مغناطیسی علاوه بر سهم مغناطیسی کوتاه برد یک سهم الکتریکی کوتاه برد دارند. ما در اینجا اثر اختلاف پتانسیل الکتریکی بین دو سطح آن را روی ترابرد بار الکتریکی مطالعه می کنیم. با استفاده از روش نیمه کلاسکی بولتزمن و تقریب زمان واهلش اصلاح شده رسانندگی الکتریکی طولی این سیستم را در راستای عمود بر صفحه ناخالصیهای مغناطیسی محاسبه میکنیم. نشان دادیم که برای یک پتانسیل خاص، رسانندگی الکتریکی طولی با افزایش زاویه ناخالصیها نسبت به محور عمود بر سیستم افزایش مییابد. همچنین نشان دادیم که افزایش پتانسیل الکتریکی باعث کاهش رسانندگی الکتریکی طولی میشود.کلیدواژه ها
رسانندگی الکتریکی، روش نیمه کلاسیکی بولتزمن، تقریب زمان واهلش اصلاح شده، لایه ضخیم عایق توپولوژیک مغناطیسی، ناخالصیهای الکتریکی-مغناطیسیمقالات مرتبط جدید
- شبیه سازی مدل آیزینگ با استفاده از الگوریتم متروپلیس
- بررسی شرایط مثلث شدن اجزاء یک مثلث
- Existence and multiplicity results for the p(x)–Laplacian system
- تاثیر حل سوالات به روش سنتی در یادگیری فیزیک
- لیزر موای زائد با طول موج الکساندرایت۷۵۵ ، دایود ۸۱۰ ، ان دی یگ ۱۰۶۴ با توجه به رنگ پوست بر اساس معیار فیتزپاتریک
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.