طراحی و ساخت یک دیود Pn با نیمه هادی GaAs به روش MBE
- سال انتشار: 1380
- محل انتشار: چهارمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ISCEE04_050
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 4186
نویسندگان
پژوهشکده الکترونیک دانشگاه علم و صنعت
چکیده
دراین مقاله طراحی و مراحل رشد یک دیود Pn از جنس GaAs را تشریح کردها یم این دیود از طریق رشد یکلایه با ضخامت 1 میکرومتر از جنس GaAs نوع n با ناخالصی سیلیکون 6×19 17cm-3برروی زیرلایه ای از جنسGaAs نوع P با چگالی حاملها 17 10CM-3 رشد داده شده است لایه نشانی به روش MBE انجام شد و فشار مبنای محفظه رشد کمتر از 10 -10Torr و فشارکاری که غالب آن از ارسنیک است بین 110-7-10-5 بوده و مشخصه نگاری درهنگام رشد توسط سیستم RHEED و پس از رشد توسط روشهای I-V,C-V صورت گرفته است.کلیدواژه ها
پیوند Hall,ECV,MBE,RHEED-Pnمقالات مرتبط جدید
- طراحی و پیاده سازی سیستم پارکینگ هوشمند خودرو با امکان شارژ خورشیدی و رزرو محل پارک خودرو
- بررسی رویکرد قابلیت اطمینان نرم افزار و معرفی یک مدل آزمون جهت سنجش میزان اطمینان در یک نرم افزار
- پردازش تصویر در پزشکی
- شناسایی بیماری نارسایی کلیوی بر اساس روش ترکیبی ویادگیری گروهی در یادگیری ماشین
- مطالعه عددی تشدید پلاسمون سطحی در دایمرهای نانوذرات فلزی طلا
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.