طراحی و ساخت یک دیود Pn با نیمه هادی GaAs به روش MBE
- سال انتشار: 1380
- محل انتشار: چهارمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ISCEE04_050
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 4296
نویسندگان
پژوهشکده الکترونیک دانشگاه علم و صنعت
چکیده
دراین مقاله طراحی و مراحل رشد یک دیود Pn از جنس GaAs را تشریح کردها یم این دیود از طریق رشد یکلایه با ضخامت 1 میکرومتر از جنس GaAs نوع n با ناخالصی سیلیکون 6×19 17cm-3برروی زیرلایه ای از جنسGaAs نوع P با چگالی حاملها 17 10CM-3 رشد داده شده است لایه نشانی به روش MBE انجام شد و فشار مبنای محفظه رشد کمتر از 10 -10Torr و فشارکاری که غالب آن از ارسنیک است بین 110-7-10-5 بوده و مشخصه نگاری درهنگام رشد توسط سیستم RHEED و پس از رشد توسط روشهای I-V,C-V صورت گرفته است.کلیدواژه ها
پیوند Hall,ECV,MBE,RHEED-Pnمقالات مرتبط جدید
- کاشت یون در نیمه رساناها: تاریخچه، فرایند، اثرات، کاربردها، چالش ها
- تخمین نفوذ مس در نوارهای لبه ای با استفاده از شبکه های عصبی عمیق
- آینده ی تولید غذا با اینترنت اشیاء
- پیشرفتهای نوین در یکپارچه سازی فرآیند دوقطبی در فناوری های میکروالکترونیک
- آخرین پیشرفتها در فناوری کاشت یون در سیلیکون کاربید و گالیوم نیترید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.