بررسی اثرات خودگرمایی ساختارهای دارای صفحات میدان در افزاره های AlGaN/GaN HEMT

  • سال انتشار: 1390
  • محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEEE03_249
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1511
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

علی حق شناس

آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره دانشگاه تهران

مرتضی فتحی پور

چکیده

در این مقاله تاثیر خودگرمایی برمشخصه جریان - ولتاژ افزاره AlGaN/GaN HEMT مورد بررسی قرارگرفته است نتایج این بررسی نشان میدهد خودگرمایی افزاره به شدت تحت تاثیر تراکم خطوط میدان الکتریکی در راستای کانال افزاره می باشد اغلب به منظور افزایش ولتاژ شکست گیت افزاره از صفحه میدان در ساختار افزاره ها جهت کاربردهای ولتاژ بالا استفاده می شود با توجه به نتایج شبیه سازی مشخص شده است که استفاده از صفحات میدان سبب تشدید اثر خودگرمایی در افزاره می شود دراین مقاله نشانداده شده است که استفادها ز صفحه میدان در ساختار افزاره منجر به کاهش 10 درصدی جریان درین نسبت به ساختار بدون صفحه میدان میشود چگونگی تاثیر استفادها ز صفحه میدان بررفتار گرمایی افزاره AlGaN/GaN HEMT بیان گردیده است.

کلیدواژه ها

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.