بررسی اثرات خودگرمایی ساختارهای دارای صفحات میدان در افزاره های AlGaN/GaN HEMT
محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,446
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE03_249
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390
چکیده مقاله:
در این مقاله تاثیر خودگرمایی برمشخصه جریان - ولتاژ افزاره AlGaN/GaN HEMT مورد بررسی قرارگرفته است نتایج این بررسی نشان میدهد خودگرمایی افزاره به شدت تحت تاثیر تراکم خطوط میدان الکتریکی در راستای کانال افزاره می باشد اغلب به منظور افزایش ولتاژ شکست گیت افزاره از صفحه میدان در ساختار افزاره ها جهت کاربردهای ولتاژ بالا استفاده می شود با توجه به نتایج شبیه سازی مشخص شده است که استفاده از صفحات میدان سبب تشدید اثر خودگرمایی در افزاره می شود دراین مقاله نشانداده شده است که استفادها ز صفحه میدان در ساختار افزاره منجر به کاهش 10 درصدی جریان درین نسبت به ساختار بدون صفحه میدان میشود چگونگی تاثیر استفادها ز صفحه میدان بررفتار گرمایی افزاره AlGaN/GaN HEMT بیان گردیده است.
نویسندگان
علی حق شناس
آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره دانشگاه تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :