حسن قاضی اسدی - Department of physics, College of technical and engineering, Saveh branch, Islamic Azad University, Saveh
پیمان نایبی - Department of physics, College of technical and engineering, Saveh branch, Islamic Azad University, Saveh

خواص الکترونیکی و رفتار یکسوسازی دیود­های خود سوئیچ گرافنی با آلایش گیت­های جانبی با اتم­های نیتروژن و بور، با استفاده از روش تنگ بست تابعی چگالی، مورد بررسی قرار گرفت. آلایش گیت­های ادوات، سبب تغییر هدایت الکتریکی نانو نوار گرافنی گیت­ها و کانال نیمه­هادی می­گردد. در نتیجه، اندازه ولتاژ آستانه بایاس مستقیم به میزان قابل ملاحظه ای کاهش یافته، به صورتی که در ساختارهای 565 آلایش یافته با اتم­های بور و نیتروژن، این ولتاژ نزدیک به صفر است. همچنین، جریان الکتریکی عبوری در بایاس مستقیم و معکوس ادوات آلایش یافته، نسبت به ساختار غیر آلائیده، به ترتیب افزایش و کاهش یافته است. در بین همه ساختارها، ساختار 565 آلایش یافته با اتم­های بور، دارای بیشترین نسبت یکسوسازی به میزان 55/558 است و ماکزیمم جریان عبوری در بایاس مستقیم در محدوده بایاس اعمالی نیز مربوط به این ساختار، به مقدار μA56/8 است.

Graphene self-switching diode, Armchair graphene nanoribbon, Side gates doping, Boron, Nitrogen, Density functional tight-binding., دیود خودسوئیچ گرافنی, نانونوار گرافنی آرمچیر, آلایش گیت‌های جانبی, بور, نیتروژن, تنگ بست تابعی چگالی