یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی

سال انتشار: 1399
محل انتشار: فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران، دوره: 18، شماره: 1
کد COI اختصاصی: JR_JIAE-18-1_002
زبان مقاله: فارسی
تعداد مشاهده: 355

نویسندگان

Department of physics, College of technical and engineering, Saveh branch, Islamic Azad University, Saveh

چکیده

خواص الکترونیکی و رفتار یکسوسازی دیودهای خود سوئیچ گرافنی با آلایش گیتهای جانبی با اتمهای نیتروژن و بور، با استفاده از روش تنگ بست تابعی چگالی، مورد بررسی قرار گرفت. آلایش گیتهای ادوات، سبب تغییر هدایت الکتریکی نانو نوار گرافنی گیتها و کانال نیمههادی میگردد. در نتیجه، اندازه ولتاژ آستانه بایاس مستقیم به میزان قابل ملاحظه ای کاهش یافته، به صورتی که در ساختارهای 565 آلایش یافته با اتمهای بور و نیتروژن، این ولتاژ نزدیک به صفر است. همچنین، جریان الکتریکی عبوری در بایاس مستقیم و معکوس ادوات آلایش یافته، نسبت به ساختار غیر آلائیده، به ترتیب افزایش و کاهش یافته است. در بین همه ساختارها، ساختار 565 آلایش یافته با اتمهای بور، دارای بیشترین نسبت یکسوسازی به میزان 55/558 است و ماکزیمم جریان عبوری در بایاس مستقیم در محدوده بایاس اعمالی نیز مربوط به این ساختار، به مقدار μA56/8 است.

کلیدواژه ها

Graphene self-switching diode, Armchair graphene nanoribbon, Side gates doping, Boron, Nitrogen, Density functional tight-binding., دیود خودسوئیچ گرافنی, نانونوار گرافنی آرمچیر, آلایش گیت‌های جانبی, بور, نیتروژن, تنگ بست تابعی چگالی

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.