اعظم طامهری - دانشگاه پیام نور مرکزتهران
سیدعلی هاشمی زاده - دانشگاه پیام نور مرکزتهران

دراین مقاله ارتباط خواص اپتیکی نانولایه های InGaN/GaN بصورت چاه کوانتمی منفرد با تغییرات مقدار ایندیم مطرح شده و با بررسی ماهیت تغییرات ساختاری در اثر تغییر در غلظت ایندیم و ارزیابی تاثیر این تغییرات در خواص اپتیکی ماده ضمن پیشنهاد مقداری بهینه برای غلظت ایندیم شرایط رشدی که منجر به خواص بهینه و بالا رفتن کارایی قطعه الکترونیکی ساخته شده و از این ماده می شود مورد بررسی قرا رگیرد.

چاه کوانتمی، InGaN/GaN ، تنش میدان پیزوالکتریک، اثر اشتارک