تاثیر غلظت ایندیوم برخواص اپتیکی نانولایه های InxGa1-Xn/GaN بصورت چاه کوانتمی منفرد

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 854

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NNTC01_754

تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389

چکیده مقاله:

دراین مقاله ارتباط خواص اپتیکی نانولایه های InGaN/GaN بصورت چاه کوانتمی منفرد با تغییرات مقدار ایندیم مطرح شده و با بررسی ماهیت تغییرات ساختاری در اثر تغییر در غلظت ایندیم و ارزیابی تاثیر این تغییرات در خواص اپتیکی ماده ضمن پیشنهاد مقداری بهینه برای غلظت ایندیم شرایط رشدی که منجر به خواص بهینه و بالا رفتن کارایی قطعه الکترونیکی ساخته شده و از این ماده می شود مورد بررسی قرا رگیرد.

نویسندگان

اعظم طامهری

دانشگاه پیام نور مرکزتهران

سیدعلی هاشمی زاده

دانشگاه پیام نور مرکزتهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ Conference on Nano Science & Nano Technology, YAZD, 16-18 ...
  • _ _ InGaN interlayers on structural and optica properties of ...
  • R.H. Horng.et.al, Growth and characterizat _ of 380-nm InGaN/AlGaN LEDs ...
  • Tomonari Shidoa.et.al, Selactive area metal-organic vapor-phase epitaxy of InN, GaN ...
  • S. Keller.et.al, Effect of the growth rate and the barrier ...
  • _ _ _ of _ by MOCVD, [15] Chii-Chang Chen.et.al, ...
  • _ _ _ _ measurement of te In composition in ...
  • diodes, Thin solid films 513 (2010) 7437-7440 [3] J-L. Reverchon ...
  • نمایش کامل مراجع