ساخت و رشد یک دیود pn با استفاده از رشد یک لایه نیمه هادی گالیم ارسناید نوع n به روش رونشستی پرتومولکولی
- سال انتشار: 1389
- محل انتشار: اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو
- کد COI اختصاصی: NNTC01_345
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1736
نویسندگان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد دورود
چکیده
هدف از این مقاله طراحی و رشد پیوند با دیود pn با نیمه هادی GaAs به روش MBE می باشد این دیود از طریق رشد یک لایه با ضخامت 1 میکرومتر از جنس GaAs نوع n با ناخالصی سیلیکون17 10×6 برروی زیرلایه ای از جنس GaAs نوع p با چگالی حاملها cm-3 10 17 رشد داده شده است لایه نشانی به روش MBE انجام شده است مشخصه نگاری در هنگام رشد توسط سیستم RHEED و پس از رشد توسط روشهای I-V,C-V صورت گرفته است اندازه گیری ضریب قابلیت تحرک توسط اندازه گیری به روش هال Hall و تایید میزان ناخالصی توسط تکنیک Electrochemical-Voltage Profiling انجام پذیرفته است.کلیدواژه ها
مقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.