ساخت و رشد یک دیود pn با استفاده از رشد یک لایه نیمه هادی گالیم ارسناید نوع n به روش رونشستی پرتومولکولی

هدف از این مقاله طراحی و رشد پیوند با دیود pn با نیمه هادی GaAs به روش MBE می باشد این دیود از طریق رشد یک لایه با ضخامت 1 میکرومتر از جنس GaAs نوع n با ناخالصی سیلیکون17 10×6 برروی زیرلایه ای از جنس GaAs نوع p با چگالی حاملها cm-3 10 17 رشد داده شده است لایه نشانی به روش MBE انجام شده است مشخصه نگاری در هنگام رشد توسط سیستم RHEED و پس از رشد توسط روشهای I-V,C-V صورت گرفته است اندازه گیری ضریب قابلیت تحرک توسط اندازه گیری به روش هال Hall و تایید میزان ناخالصی توسط تکنیک Electrochemical-Voltage Profiling انجام پذیرفته است.