بررسی روش های پرداخت سطح بر میزان جذب لایه اکسید روی به منظور استفاده از آشکارساز اپتیکی

اکسید روی یک نیمه هادی با ساختار ورتزیت دارای خواص پیزوالکتریک و پیزوفتوترونیک است.این ماده با شکاف انرژی ev۳.۳۷ انرژی تحریکی بالا و نشر نزدیک به اشعه ماورا بنفش می باشد خواص به خصوص این ماده باعث کاربردهای متنوع از جمله آشکارسازهای نوری و حسگرهای اپتیکی شده است. این خصوصیات ویژه، زمینه تحقیقاتی بسیاری را فراهم نموده است. در این پژوهش در ابتدا برای لایه نشانی ZnO بر روی زیر لایه منعطف PET/ITO از روش کندو پاش استفاده شده است. سپس لایه نازک بدست آمده را تحت دما و زمان مشخص، برای رشد نانو میله های اکسید روی به روش هیدروترمال، لایه نشانی کرده ایم. همچنین نانو کره های اکسید سیلسیم را به روش غوطه وری و چرخشی بر روی زیر لایه های مورد نظر لایه نشانی کرده ایم. همچنین به جهت بررسی خواص اپتیکی و ساختاری، آنالیز طیف سنجی ماورا بنفش - مریی و میکروسکوپ الکترونی روبشی FESEM از نمونه ها انجام شده است. در این پژوهش سعی بر آن شده که با این روش بتوانیم جذب بیشتر و در نهایت کارایی بیشتری برای آشکارسازهای نوری را بدست آوریم

کلیدواژه ها:

اکسیدروی ، اکسید سیلسیم ، لایه نشانی هیدروترمال ، کندوپاش ، غوطه وری و چرخشی ، آشکارسازی های نوری