آرایه آنتن های میکرواستریپ پچ با ساختار زمین ناقص برای بهبود خواص تشعشعی
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 934
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCT04_092
تاریخ نمایه سازی: 17 آبان 1396
چکیده مقاله:
ساختارهای زمین ناقص برای بهبود خلوص پلاریزاسیون در میدان های تشعشعی مورد استفاده قرار می گیرند از این نوع ساختارها برای اولین بار در سال2005 برای بهبهود خواص تشعشعی آنتن های میکرواستریپ استفاده شد.از آن به بعد چند نوع طراحی و آنتن جدید برای کاربردهای مختلف با این هندسه ساختاری زده شد. در این ساختارها پیش بینی می شد که سطح Xp بین 10 تا 15 دسی بل و به صورتی خاص در صفحه ی H کاهش پیدا کند که در نتیجه بیشتر از 25 دسی بل ایزولاسیون بین coو cross در صفحات اصلی بوجود می آید که باعث بهبود خلوص پلاریزاسیون می گردد،در این مقاله برای چهار نسبت مختلف عرض به طول پچ 8,0و1و3,1و6,1 بررسی هایی صورت گرفته است که به کمک ساختارهای زمین ناقص این نقص های شکسته باعث تاثیر در خواص تشعشعی صفحه ی H می شوند.این کار خلوص پلاریزاسیون رو به ما می دهد که ایزولاسیون بین میدان های co و cross بالای 25 دسی بل است..
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فرزاد کرمی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق مخابرات میدان دانشگاه سمنان
سجاد حسین پور
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق مخابرات میدان دانشگاه سمنان
پژمان رضایی
دانشیار گروه مخابرات دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان