بلور فوتونیکی یک بعدی شامل مواد تک منفی با سه لایه در سلول واحد

دراین مقاله ویژگی های گافهای باند دریک بلور فوتونیکی یک بعدی سه لایه ای سه لایه درهر تناوب شامل مواد اپسیلون - منفی . مو - منفی ومعممولی بررسی می شود نشان می دهیم که با افزایش ضخامت لایه معمولی هردولبه گاف فازصفرولیه بالایی گاف زاویه ای به بسامدهای پایین ترجابجا می شوند همچنین مطالعات ما نشان می دهد که لبه بالایی گاف زاویه ای با افزایش زاویه تابش به بسامدهای بالاتر انتقال می یابد درصورتی که درمورد گاف فاز صفر یکی از لبه ها مستقل اززاویه تابش است وجابجایی لبه دیگر آن با افزایش زاویه تابش به ضخامت لایه معمولی بستگی دارد .

کلیدواژه ها:

بلور های فوتونیکی ، گاف باندهای فوتونیکی ، متامواد تک - منفی