role study of excess noise factor in avalanche photodiode with separate absorption andmultiplication regions (SAM-APD) using MLP neural network

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 417

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICESCON03_353

تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395

چکیده مقاله:

The use of knowledge lies in the attempt to extract the intrinsic relationshipbetween them and applying them in other situations, incorporate intelligent.Artificial neural networks Artificial Intelligence One important way in which themodel is inspired by the human brain, the process of education, information aboutthe data stored within the network weights. In this paper, using the network MLP,excess noise factor and the SAM-APD in voltage for changes in structuralparameters are investigated. Many factors affect the SAM-APD noise that mostconsider them as inputs to the network. These factors include the areas ofrecruitment and proliferation, the type of material used in the areas of recruitmentand proliferation, cross detector, radiation and bias voltage. The MLP network withseven neurons in the input layer and output layer neurons consider

کلیدواژه ها:

optical sensors avalanche photodiode ، excess noise factor ، artificialneural networks

نویسندگان

Sadjad pakpour

lichahi Master of Science in Electronic Engineering

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Minhaj. Mohammad Bagher, the foundations of neural networks, Amirkabir University ...
  • E. Gramsch, R. E. Avila, and J. Ferrer, "Development of ...
  • 7] S. S. Murtaza, K. A. Anselm, C. Hu, and ...
  • -3H. Nie, K. A. Anselm, and C. Hu, "High-Speed Re ...
  • -4R. Kuchibhotla, A. Srinivasan, J. C. Campbell, and C. Lei, ...
  • _ C. Campbell, S. C handras hekhar, W. T. Tsang, ...
  • _ Multiplication Noise of WideB andwidth InP/InGaA sP/InGaAs Avalanche Photodiodes", ...
  • -6K. A. Anselm, S. S. Murtaza, and R.V. Chelakara, "High ...
  • nAs/GaInA S AlI؛ 8- -7Y. Le Bellego, J. P. Praseuth, ...
  • -8H. Nie, C. Lenox, G. Kinsey, and P. Yuan, _ ...
  • InGaA s/InAlAs Separate Absorption, Charge and Multiplication Avalanche Photodiodes", IEEE ...
  • -9K. A. Anselm, H. Nie, C. Hu, and P. Yuan, ...
  • Photodiodes with High Gain-B andwidth Product", IEEE Photon. Technol. Lett., ...
  • -12E. Gramsch, R. E. Avila, and J. Ferrer, "Development of ...
  • -15 XueFang .X, and Sheng. X, XiaoHong .C, and Chao ...
  • نمایش کامل مراجع