سنتز و بررسی ویژگی های نانو کامپوزیت اکسید لانتانیم تزریق شده با نانو ذرات آلومینیم و قلع برای تراشه های الکترونیکی آتی

امروزه استفاده از مواد در مقیاس نانو بسیار مورد توجه قرار گرفته است، زیرا مواد در این مقیاس ویژگی های متفاوتی از خودنشان می دهند. کاهش اندازه قطعات ترانزیستورهای اثر میدانی فلز - اکسید- نیمه رسانا MOSFET مانند طول کانال و ضخامت گیت دی الکتریک چالش هایی چون افزایش جریان تونلی، نفوذ اتم های سبک به داخل گیت را ایجاد می کند. در این مقاله سنتز اکسید لانتانیم به روش سل - ژل با تزریق اکسیدهای آلومینیم و قلع به اکسید لانتانیم برای بدست آوردن ماده ای با ویژگی های بهتر و بررسی ساختار نانو کامپوزیت Al/Sn/La2O3 به عنوان ماده ای مناسب به جای گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکونی در ترانزیستورهای اثر میدانی صورت گرفته است. به این منظور برای بررسی پایداری گرمایی نانو کامپوزیت به دست آمده، از آنالیز Thermo Gravimetric Analysis) TGA) استفاده شده است، هم چنین برای تعیین اندازه نانو ذرات به دست آمده با این روش، تعیین نوع ساختار و سایر خواص آن از الگوی پراش پرتوایکس XRD و برای تعیین نوع پیوندهای موجود از طیف سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز FTIR استفاده شده است. بررسی های انجام شده بر روی نمونه های با 15 درصد قلع و 30 درصد آلومینیوم، نشان دادند که این نمونه ها پایداری گرمایی خوبی دارند و از نظر اندازه ذرات و هموار بودن سطح برای استفاده در MOSFET مناسب می باشند چون جریان تونلی کمی خواهند داشت. هم چنین پیوندهای مابین قلع و لانتان و هم چنین آلومینیوم و لانتان به خوبی تشکیل شده است.

کلیدواژه ها:

نانو کامپوزیت ، روش سل - ژل ، ترانزیستور ، گیت دی الکتریک ، اکسید لانتانیم ، آلومینیم و قلع