کاهش مقاومت سطحی لایه ی نازک ITO باکمک لایه میانی Cu

دراین پژوهش لایه نازک ITO/Cu/ITO بر روی شیشه به روش اسپاترینگ فرکانس رادیویی لایه نشانی شد. از لایه میانی مس برای کاهش مقاومت سطحی لایه نازک ITO استفاده شد. لایه میانی مس با ضخامت های ۱۰،۵ و۲۰ نانومتر برروی ITO لایه نشانی شد. مقاومت سطحی نمونه ها توسط دستگاه دستگاه پروب چهارنقطه ای و میزان عبور نمونه ها توسط طیف سنجی مرئی فرابنفش اندازه گیری شد. نتایج نشان داد مقاومت و عبور لایه نازک -ITO به ترتیب برابر Ω/sq ۲۴ و ۷۸ درصد در طول موج ۵۵۰ نانومتر است. . با اعمال لایه میانی مس مقاومت سطحی نمونه ها کاهش یافت و نمونه دارای ۲۰ نانومتر لایه میانی مس دارای کمترین میزان مقاومت به مقدار Ω/sq ۹ می باشد.

کلیدواژه ها:

مس ، ایندیوم آلاییده شده به قلع ، کندوپاش ، لایه نازک