مقایسه ویژگی نانو ساختاری اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 288
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JAME-31-1_006
تاریخ نمایه سازی: 27 اردیبهشت 1401
چکیده مقاله:
در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی Si(۱۰۰) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب در تولیدات آتی نانو ترانزیستورهای میسفت بکار رود.
کلیدواژه ها:
ultra thin film ، nano structures ، gate dielectric and metallic oxides. ، فیلم فرا نازک ، نانوساختارها ، گیت دی الکتریک و اکسیدهای فلزی
نویسندگان
علی بهاری
Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar
ماندانا رودباری شهمیری
Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar
نورالدین - میرنیا
Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar