مطالعه و بررسی نانوذرات اکسید لانتان تزریق شده با روی به عنوان گیت دی الکتریک مناسب در NVM های آینده

دراین کار پژوهشی درپی یافتن دی الکتریکی با ثابت دی الکتریک و دمای بلوری بالا برای گیت حافظه های دائمی NVM آینده هستیم به روش سل - ژل نانوذره های اکسید لانتان تزریق شده با روی را سنتز کردیم برای مطالعه ویژگیهای ساختار ماده ی به دست آمده از تکنیک پراش اشعه ایکس XRD استفاده کردیم برای بدست آوردن اندازه ی ذرات از تکنیک X-powder بهره گرفتیم همچنین برای بررسی خواص سطح از میکروسکوپ های نیروی اتمی AFM و الکترون روبشی SEM استفاده کردیم نتایج بدست آمده نشان داده اند که افزودن روی به اکسیدلانتان ساختار آن را به شدت آمورف می کند و از آنجا که اکسید روی نیز دی الکتریک خوبی به شمار می آید خاصیت دی الکتریکی اکسید لانتان را نیز تقویت می کندو باعث می شود دمای بلوری آن بالا رود.

کلیدواژه ها:

نانوذره ، اکسید لانتانیم ، روی ، سل - ژل ، و حافظه دائمی