فیلتر نتایج
نتایج 1 تا 10 از مجموع 250
مقاله ژورنالی
Balancing Current Sharing in Paralleled Silicon Carbide MOSFETs with an Active Compensator
نویسندگان: A. Rezaeian، A. Afifi، H. Bahrami
سال انتشار 1404
محل انتشار: ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 6، دوره 38
تعداد صفحات: 12 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Numerical Analysis of Diameter Dependency of Control Coefficient of Carbon Nanotube Field Effect Transistor
نویسندگان:
سال انتشار 1403
محل انتشار: مجله مهندسی برق مجلسی شماره 2، دوره 18
تعداد صفحات: 7 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Dual-Channel Indium Nitride Tunnel Field Effect Transistor: A Comprehensive Study on Design, Sensitivity, and Electrical Performance
نویسندگان: Zahra Ahangari
سال انتشار 1402
محل انتشار: مجله مدلسازی و شبیه سازی در مهندسی برق و الکترونیک شماره 4، دوره 2
تعداد صفحات: 9 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
Modeling of Drain Current in Double-Gate Heterojunction Tunneling FETs: a Physical-Analytical Approach
نویسندگان: Danial Keighobadi، Saeed Mohammadi
سال انتشار 1400
محل انتشار: مجله مدلسازی و شبیه سازی در مهندسی برق و الکترونیک شماره 3، دوره 1
تعداد صفحات: 7 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Optimizing Majority Gate Design in Quantum-dot CellularAutomata for Enhanced Computational Efficiency
نویسندگان: Zahra Shafiei amini
سال انتشار 1403
محل انتشار: هفتمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق، کامپیوتر، مکانیک و هوش مصنوعی
تعداد صفحات: 6 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
An Improved Structure and Analysis of Asymmetrical Spacer Nanowire Tunnel Field Effect Transistor
نویسندگان: S. Butool، B. Balaji، Y. Gowthami، L. Singh
سال انتشار 1403
محل انتشار: ماهنامه بین المللی مهندسی شماره 12، دوره 37
تعداد صفحات: 7 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Enhancing High-Performance Computing: A Comprehensive Study on Dual-Doped Source/Drain Reconfigurable Field Effect Transistor
نویسندگان: Z. Ahangari
سال انتشار 1403
محل انتشار: مجله نوآوری های مهندسی برق و کامپیوتر شماره 2، دوره 12
تعداد صفحات: 10 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Estimating Electrical Performance and conducting a comparative investigation between Heterojunction Strained and Conventional Gate All Around Nanosheet Field Effect Transistors
نویسندگان: Reza Abbasnezhad، Sadra Asghari، Hadi Pourkavous
سال انتشار 1403
محل انتشار: نهمین کنفرانس بین المللی توسعه فناوری در مهندسی برق ایران
تعداد صفحات: 11 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Investigating the Performance of Modern Concentrically Braces during Modal Analysis in the Frequency Domain with the Finite Element Method
نویسندگان: Masoud Mahdavi، Seyyed Reza Hosseini، Abbas Babaafjaei
سال انتشار 1402
محل انتشار: مجله مکانیک سازه پیشرفته شماره 3، دوره 1
تعداد صفحات: 11 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
بررسی تاثیر بازشدگی دریچه سرریز اوجی بر آبشستگی موضعی پایین دست حوضچه های آرامش
نویسندگان: محمد سعید چلداوی، محمد حیدرنژاد، اصلان اگدرنژاد
سال انتشار 1403
محل انتشار: مجله علوم و مهندسی آبخیزداری ایران شماره 64، دوره 18
تعداد صفحات: 10 | زبان: فارسی
نتایج 1 تا 10 از مجموع 250