بررسی عددی انتقال حرارت اجباری نانو سیال در فلت تیوب در حالت تک فاز

در این تحقیق با روش های تک فازی به مطالعه رفتار دینامیکی و حرارتی جریان نانوسیال در یک لوله تخت شده پرداخته شده است. تاثیر نانو ذرات ،عدد رینولدز ، روی جریان و انتقال حرارت بررسی شده اند افت فشار و نیز. با توجه به نتایج مشاهده میشود که افزودن نانوسیال و ایجاد فلت شدن به ترتیب باعث افزایش رسانایی گرمایی و افزایش جریان های ثانویه میشود انتقال حرارت را به افزایش می دهد در ادامه با اعمال یک میدان مغناطیسی ثابت در جریان نانو سیال در لوله فلت شده جریان های ثانویه ناشی از نیروی مغناطیسی و تاثیر آن بر رفتار حرارتی و افت فشار موراد مورد مطالعه قرار گرفته است .دیواره فلت تیوب در شرایط دما ثابت و نانو سیال آهن اکسید در اعداد رینولدز 5000 و 500 و کسر های حجمی 1، 2 و 3 درصد از نانو ذرات انجام شده است. معادلات حاکم با روش حجم محدود و الگوریتم سیمپلر با استفاده از نرم افزار انسیس فلوئنت 15 حل شده اند.نتایج نشان دادند که با اعمال میدان مغناطیسی و افزایش آن با سرعت جا به جایی نانو سیال و قدرت جریان کاهش می یابد و رفتار سیال از جابجایی اجباری به جابجایی ازاد و یا هدایت حرارتی تغییر می کند. به همین دلیل در اعداد رینولدز یاد شده با افزایش عدد هارتمن ، عدد ناسلت کاهش می یابد.

کلیدواژه ها:

نانو سیال ، فلت تیوب ، ، جابه جایی اجباری ، تک فازی