ارزیابی عملکرد آنالوگ و پارامترهای اثر کانال کوتاه روی ترانزیستور اثر میدان بر پایه عایق توپولوژیک
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 419
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-49-2_039
تاریخ نمایه سازی: 20 آذر 1398
چکیده مقاله:
In this paper, in order to evaluate new materials for design and simulation of the field effect transistors in nano dimensions, we simulate and investigate the electronic properties of a field effect transistor based of topological insulator. Since the energy gap in the channel region of this transistor is adjustable by a perpendicular magnetic field, first by obtaining the transfer characteristics, we analyze the DC characteristics such as Ion/Ioff ratio and the threshold voltage. Moreover, we evaluate the short channel effects (SCEs) including subthreshold slope (SS) and drain induced barrier lowering (DIBL).The obtained results for (SS) and (DIBL) for m=1 show the values of 8.24mV/dec and 0.064, respectively, which are very suitable for transistor applications. Finally we achieve the analog characteristics of the simulated field effect transistor such as transconductance, output conductance, output resistance and voltage gain and study the parameters affecting these figures of merits.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
M. Vali
Institute of Nanoscience and Nanotechnology, University of Kashan, Kashan, Iran
D. Dideban
Depertment of Electrical and Computer Engineering, University of Kashan, Kashan, Iran
N. Moezi
Technical and Vocational University, Kashan, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :