افسانه شادآرام - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
ستار میرزاکوچکی - دانشکده برق دانشگاه علم و صنعت ایران
فرحناز ذاکریان - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

ممریستور که به عنوان چهارمین عنصر پایه مدار بعد از مقاومت خازن و سلف معرفی شده است یک قطعه دوپایانه ای است که در ابعاد مقیاس نانو ساخته شده و مقاومت آن به دامنه ، پلاریته و مدت زمان ولتاژ اعمال شده به آن بستگی دارد منحنی هیسترتیک جریان - ولتاژ درممریستور باعث می شود تا این عنصر بتواند به عنوان یک حافظه مقاومتی غیرفرار عمل کرده و اطلاعات را تا زمانی که ولتاژی با مقدار و پلاریته متفاوتی به آن اعمال شود حتی تا یک سال بعد به یاد آورد ممریستور می تواند جایگزین بسیاری از ترانزیستور ها در بعضی از مدارات شده و جای کمتری اشغال کند. در اینتحقیق به بررسی تئوری ممریستور و کاربرد آن به عنوان حافظه غیرفرار و نیز پیاده سازی عملیات منطقی به شکل عنصر نگهدارنده پرداخته شده است.

crossbar, RRAM,memory resistor,memristor