یک سلول 9 SRAM ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته
- سال انتشار: 1389
- محل انتشار: اولین همایش منطقه ای مهندسی برق
- کد COI اختصاصی: YAZDEEC01_024
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 2017
نویسندگان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
دانشگاه شهید باهنر کرمان
چکیده
توان مصرفی در سلولهایSRAMشامل دو مؤلفه توان نشتی (استاتیک) و توان دینامیکی است که با توجه به حجم زیاد این سلولها در ریزپردازنده های امروزی، توان نشتی در این سلولها اهمیت زیادی دارد. پایداری داده و حاشیه نویزاستاتیک SNM در سلول SRAM ها نیز با توجه به کاهش ولتاژ تغذیه هر روز اهمیت بیشتری پیدا میکند. در کنار توان مصرفی و پایداری داده، تاخیر خواندن و نوشتن سلولهای SRAM در بهبود سرعت و کارایی ریزپردازنده ها تاثیر دارد.در این مقاله یک سلول 9 ترانزیستوری جدید پیشنهاد شده است که با استفاده از فقط یک خط بیت جهت خواندن و نوشتن داده ها و هم چنین با جداسازی مسیر خواندن از مسیر نوشتن داده توانسته است همه پارامترهای فوق را بهبود دهدشبیه سازیهای انجام شده نشان میدهد که در مقایسه با سلول 6 ترانزیستوری معمولی و سه نوع سلول 7 ، 8 و 9 ترانزیستوری که قبلاً معرفی شدهاند، میزان بهبود توان نشتی 40 الی 53 درصد، میزان بهبود توان دینامیکی 17 الی 49 درصد، و میزان بهبود سرعت نوشتن بین 48 الی 68 درصد است. تاخیر خواندن این سلول با تاخیر خواندن سلول 9 ترانزیستوری قبلی یکسان است ولی بین 33 تا 41 درصد بهتر از تاخیر خواندن سایر سلولها استکلیدواژه ها
پایداری داده، تاخیرخواندن و نوشتن، توان دینامیک، توان نشتی، حاشیه نویز استاتیکیSNMمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.