Characterization of Thermally Grown Cu2O Thin Films on Pure Copper Foil

سال انتشار: 1398
محل انتشار: چهارمین کنفرانس بین المللی نوآوری وتحقیق در علوم مهندسی(ICIRES ۲۰۱۹)
کد COI اختصاصی: ICIRES04_068
زبان مقاله: انگلیسی
تعداد مشاهده: 477

نویسندگان

Electrical and Computer Engineering Faculty, Hakim Sabzevari University, Sabzevar, Iran Sabzevar, Iran

چکیده

Nowadays, metal oxide semiconductors (MOS) are utilized extensively in the fabrication of inorganic, organic, and hybrid perovskite solar cells due to their abundance and non-toxicity. Cupric oxide (CuO) and cuprous oxide (Cu2O) are the two most common forms of MOS. Cu2O and CuO are inherently p-type as a result of copper vacancy defects. Furthermore, Cu2O as a semiconductor material can demonstrate both n-type or p-type properties based on growth method and conditions. In the current work, cuprous oxide (p-Cu2O) nanoparticles have been successfully synthesized on copper foils by using thermal oxidation. The grown thin films then were characterized using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX). The results are shown the growth of Cu2O nanoparticles with diameters of about 16 nm to about 57 nm using dry oxidation. The average crystalline size of Cu2O thin films was observed is about 35nm. Also, the results from EDX show high purity in the prepared Cu2O film.

کلیدواژه ها

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.