Process Optimization of Deposition Conditions for Low Temperature Thin Film Insulators used in Thin Film Transistors Displays
- سال انتشار: 1397
- محل انتشار: ماهنامه بین المللی مهندسی، دوره: 31، شماره: 5
- کد COI اختصاصی: JR_IJE-31-5_005
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 422
نویسندگان
Engineering and Technology, Qom University
چکیده
Deposition process for thin insulator used in polysilicon gate dielectric of thin film transistors are optimized. Silane and N2O plasma are used to form SiO2 layers at temperatures below 150 ºC. The deposition conditions as well as system operating parameters such as pressure, temperature, gas flow ratios, total flow rate and plasma power are also studied and their effects are discussed. The physical aspects of the yielded dielectrics such as layer thickness and uniformity are presented as well.کلیدواژه ها
Plasma Deposition, Thin Film Transistor, Display, Process Optimization, Low Temperature Dielectricاطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.