Strong Optical Filed Intensity Improvement Introducing InGaAsP Quantum Wells in InP Nanocavity
محل انتشار: کنفرانس ملی نانو ساختارها علوم و مهندسی نانو
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 413
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNNN03_005
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
چکیده مقاله:
This paper presents the optical characteristics of a quantum well doped InP nanocavity.The resonance wavelength of the nanocavity and the optical field intensity is calculatedbefore and after presence of the quantum wells. The resulting huge filed intensity ofabout 1.2×108 respect to the incident field is the effect of quantum wells placed invicinity of center of nanocavity.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Nassibeh Ebadi
Assistant Professor, Department of Electrical Engineering, Roshdiyeh Higher Education Institute, Tabriz, Iran