طراحی یک ساختار جدید UMOSFET برای افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت ویژه
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1393
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 251
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC93_503
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
چکیده مقاله:
در ماسفت های قدرت کربید سیلیسیم، ساختار UMOSFET بخاطر مزایای زیادی از جمله ولتاژ شکست بالا و مقاومت ویژه پایین مورد توجه قرار گرفته است. در مقاله حاضر این ماسفت بررسی شده و ساختار جدیدی ارائه می گردد. ساختار پیشنهادی دارای ویژگی هایی نظیر ولتاژ شکست بالا، مقاومت ویژه پایین و ولتاژ ارلی بالاتری نسبت به بقیه ساختارهای UMOSFET ارائه شده توسط دیگر محققان می باشد. کلیه شبیه سازی ها با نرم افزار ATLAS انجام شده.نتایج بدست آمده با ساختار معمولی مقایسه و در آخر ابعاد ساختار پیشنهادی بهینه سازی شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد جوزی نجف آبادی
دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی
دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر دانشگاه سمنان
عاطفه رحیمی فر
دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر دانشگاه سمنان