ساسان مرادی - گروه فوتونیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان،ایران.
غفور هاشم وند - گروه فوتونیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان،ایران.
سعید رستمی - گروه شیمی، دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان،ایران.
محمدآقا بلوری زاده - گروه فوتونیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان،ایران.

این مقاله امکان تولید تابش تراهرتز شدید با استفاده از میدان لیزر ترکیبی از دو مد را نشان م یدهد. هدف ما در این تحقیق، مقایسه شدت و پهنای تابش تراهرتزتولید شده در مولکول اکسیژن )الکترونگاتیو( و اتم آرگون )الکتروپوزیتیو( با چگالی یکنواخت و در فشار اتمسفر است. دیده شده است که شدت تابش تراهرتزتولید شده در اتم آرگون بیشتر از مولکول اکسیژن است ولی پهنای فرکانسی تابش تراهرتز تولید شده در اتم آرگون کمنر است. برای آرگون بیشینه میدان تراهرتزcm/MV5 و برای اکسیژن MV/ cm2.26 به دست آمده است. چنین نتیجه ای به صورت آزمایشی به وسیله کیم و همکارانش به دست آمده است